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技术简介         


专有可调谐激光器技术

波长可调谐半导体激光器是下一代光网络的关键部件。常规的可调谐激光器需要复杂的制造过程,如非均匀光栅和多次外延生长,并且需要多个电极与复杂的控制算法进行波长调谐。随着密集波分复用(DWDM)技术向接入和数据中心网络延伸,可调谐激光器的成本降低和操作简化变得越来越重要。

基于具有自主知识产权的专利技术,Lightip开发了高性能、超小型、低成本的可调谐半导体激光器芯片和模块。该激光器由一个半波耦合V型谐振腔构成,只有三个电极:一个用于增益和直接调制,一个用于ITU波长信道的选择,第三个在需要时用于波长微调。该激光器结构不涉及任何光栅或二次外延生长,尺寸仅约500Ám x 300Ám。它通过半波耦合V型复合腔实现高边摸抑制比的单模输出,同时利用游标原理将波长调谐范围扩大一个量级以上,从而可实现全波段大范围波长调谐。该结构机理消除了由传统光栅固定特征波长带来的波长调谐范围的限制,同时避免多次外延生长和光栅刻蚀等复杂制作工艺,从而大大降低成本。针对光通信和光互连应用,可采用固定波长间隔的数字式信道切换,只需使用单电极作波长控制,从而简化相应驱动电路并增强可靠性。由于采用与普通法布里-珀罗激光器相同的制作工艺,不仅工艺简单,而且芯片尺寸小,可直接调制。相对现有基于取样光栅等复杂结构或分立光学元件的可调谐激光器,在量化生产后成本可降低一个量级以上。其结构紧凑、制造简单和容易波长控制等优点可为接入和数据中心网络等迅速崛起的新应用领域提供高性价比的可调谐激光器解决方案。

半波耦合V型腔可调谐激光器芯片(0.5mmx0.3mm)

 

 

 

 

 

 

 

 

基于InGaAsP/InP的1550nm波段V型腔可调谐激光器发射光谱示例(50信道100GHz间隔和全C波段93信道50GHz间隔)

 

 

 

基于AlGaAs/GaAs的870nm波段V型腔可调谐激光器发射光谱示例

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


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